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ArFab 100 氩离子抛光仪/CP截面抛光仪

国产进口 : 国产
产地品牌 : 北京/裕隆时代
型 号 : ArFab 100
 总访问 : 2577
产品类别 : 研磨
最后更新 : 2026-03-05 17:51:13
产品介绍
公司简介

合创鸿业向用户提供性能优越的ArFab100氩离子抛光仪/CP截面抛光仪，为电镜、电子探针、原子力显微镜样品进行无损截面制备。

适用范围：新能源材料、非常规能源、半导体、芯片、制药等行业。
 
 
大尺寸切抛合一的纳米加工系统                             
 
性能优势
 
  • 一套系统兼具离子平面抛光和离子切割功能，操作简捷
  •  动态离子切割技术，实现样品的往复平移和旋转，最大切割长度达10mm，有效减少投影/遮挡效应
  • 超大平面抛光装载尺寸25x25mm（直径X高度），为原位试验等大尺寸样品试验提供可能
  • 能量0.5-10KV连续可调，既可满足低能区减少非晶层，又可兼顾高能区，大幅提高制样效率
  • 10英寸彩色触屏，全中文图像用户界面，方便快捷的参数设置，可远程控制
 
 
 
样品适用性
 
  • 无论软硬，多孔或致密，脆性或韧性，热敏感，或非均质多相复合型材料，都可获得高质量无损切割界面

 
 
  • 切割模式采用独创的微型多轴动态离子切割台，样品切割长度可达10mm
 
应用案例
 
  • 离子平面抛光后的页岩截面，揭示样品表面纳米级孔隙，左图为无机孔，右图为有机孔。SEM图像，石油地质。

 
 
  • 离子切割后的手机柔性屏幕内部结构和材料特征。半导体领域

 
 
  • 离子切割后的电池材料截面，揭示其内部结构。左图为电池阳极几篇，右图为电池隔膜。SEM图像，能源材料领域

 
 
  • 左图：离子切割后芯片内部结构，右图：离子平面抛光后芯片内部结构。SEM图像，半导体芯片领域。

 
 
  • 平面抛光后LED焊盘结构。SEM图像，半导体光电领域

 
 
  • 低电压平面抛光后的合成材料EBSD结构。EBSD图像，新材料领域。
 
 
 
技术参数
 
离子枪
离子枪 配备两支独立离子枪，可选单枪或双枪模式
加速电压 0.5-10KV连续可调
工作束流 0.5-7mA连续可调
抛光速率 200um/h（10KV，硅样品）
抛光样品台
最大样品尺寸 50X25mm（直径x高）样品台
有效抛光区域 25X25mm（长x宽）
样品台可移动范围 X: ±12.5mm
样品台旋转 连续旋转或者±360o
旋转速度 3-180o/S
抛光角度 0-20o连续可调
动态离子切割样品台
最大可加工宽度 ≥10mm
最大样品尺寸 50(L)×10(W)×35(H)mm
样品台可移动范围 ±12.5mm
摆动角度 ±15o，任意选择
真空系统
真空系统 两级真空，无油涡旋干泵，支持80L/S涡轮分子泵
工作启动真空 9X10-5 mbar
极限真空 5X10-7 mbar
真空规 全量程（常压到高真空）冷阴极真空规
用户界面 10英寸触屏，中文操作界面，简洁方便，可远程控制
电源要求 90-264VAC，600W
  
    电 话：010-62369061          13693309125    
    Email: sem@ylcorp.com.cn      www.ylcorp.com.cn
 

 

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